在做氧化實驗或者硅片清洗時，需要用到高濃高度臭氧發生器，高濃度臭氧發生器很多人理解為臭氧濃度在100%，其實大家所謂的高濃度臭氧發生器是臭氧濃度超過100mg/L，都稱為高濃度，這2個單位是不一樣的。在半導體行業，需要的臭氧濃度在200mg/L-400mg/L，下面介紹一款濃度在超過200mg/L的臭氧發生器。
加拿大 Absolute Ozone® ATLAS H30 高濃度臭氧發生器
產品特性*
臭氧產量：30g/h
標稱工作壓力：20 PSIG
臭氧濃度：高達 22%，
氣體流速：0.1 – 4 slpm
原料氣 - 氧氣濃度為 90%-95%，以獲得 很佳性能。
環境操作條件
將臭氧發生器放置在通風良好且不受天氣因素影響的區域
控制電源要求
220 V ~ ±3%，50/60 Hz，單相，3.5 A
很大功耗：350 W
物理連接
氧氣入口：0.25 英寸世偉洛克
臭氧氣體管道出口：0.25 英寸不銹鋼世偉洛克
材料和結構
外殼：拉絲不銹鋼/鋁制
高精度機加工臭氧發生器電池在高達 150 PSIG 的壓力下進行泄漏測試
O3/O2 氣體管道：PTFE/304 不銹鋼/黃銅
尺寸及重量
外殼尺寸：177.8 mm高 x 355.6 mm寬 x mm 深
發電機重量：12Kg
這一款是風冷，臭氧濃度高，相比同種產量和濃度的臭氧發生器來說，體積非常的小，適合實驗室或者工業化使用。
